講演概要︓半導体デバイスの多層配線プロセスでは、10 nm～10 µm というスケールで種々の金属・絶縁材料、フォトリソグラフィ用材料、エッチングガスなどが用いられる。また、プロセスという観点でも、ドライ、ウェットなど非常に多様である。本講演では、LSI における配線構造、多層配線プロセスフローに始まり、メタルCVD︓W（Blanket・Selective）を事例にしたインキュベーションの概念、反応律速、供給律速含む反応論、メタル ALD などの要素技術や低誘電率材料（低誘電率材料設計、Low-k 膜の加工とインテグレーション）の動向について概説する。さらに、最新メタライゼーション技術や多層配線プロセスのプラズマチャージングダメージ・配線信頼性（バスタブモデルと不良 mode、EM メカニズム、SM メカニズム、TDDB 評価、信頼性向上策）についても概説する。

プログラム（若干時間が前後することがあります）:
16︓00～16︓10 開催の挨拶
16︓10～18︓45 セミナー（途中休憩と質疑応答を含む）
18︓45～18︓50 閉会