ワイドバンドギャップ半導体－バルク結晶成長最前線―

カーボンニュートラル実現に向けて、パワーエレクトロニクスの果たすべき役割は大きい。中でもワイドバンドギャップ半導体への期待は益々高まっているが、その普及には、高品質、低コストな結晶成長技術が不可欠である。本研究会では、SiC、GaN、Ga2O3、ダイヤモンドなど材料横断で結晶成長技術の最新動向を共有し、今後の課題と展望について議論する。

—————————————————— プログラム (仮)—————————————————
10:30~10:40 開会の挨拶
10:40~11：20 Ga2O3バルク・ウェハー開発の現状
渡辺 信也（（株）ノベルクリスタルテクノロジー）
11：20~12：00 ダイヤモンドウェハ作製技術開発
山田 英明 （産業技術総合研究所）
12：00~13：00 休憩

13：00~13:40 酸性アモノサーマル法による GaN 結晶成長
三川 豊（三菱ケミカル（株））
13:40~14:20 Na フラックス法による大口径高品質 GaN 結晶育成
森 勇介（大阪大学）
14:20~15:00 HVPE 法による GaN 成長技術の進展
藤倉 序章 （（株）サイオクス）
15:00~15:20 休憩
15:20~16:00 昇華法による SiC 結晶成長での欠陥制御と伝導度制御
江藤 数馬（産業技術総合研究所）
16:00~16:40 高温ガス成長法による SiC 結晶成長の高速化と高品質化
神田 貴裕（（株）ミライズテクノロジーズ）
16:40~17:20 ８インチに向けた SiC 溶液成長の開発
宇治原 徹（名古屋大学）
17:20~17:40 総括、閉会の挨拶
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