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産総研,シリコントンネル電界効果トランジスタの動作速度を10倍にする技術を開発

産総研,シリコントンネル電界効果トランジスタの動作速度を10倍にする技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)は,シリコントンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)の新しい動作速度改善技術を考案し,実証した(プレスリリース)。この技術により,動作速度が10倍以上改善されることが期待される。 トンネ […]