東芝は，世界で初めて15nmプロセスを用いた2ビット／セルの128ギガビット（16ギガバイト）のNAND型フラッシュメモリを開発した（プレスリリース）。今月末から四日市工場の第5製造棟で，現行世代の19nm第二世代品から切り替えて順次量産を開始する。現在建設中の第5製造棟（第2期分）の完成後，今年の秋には同棟でも製造を行なう。

開発した新製品は，世界最先端の15nmプロセスを適用するとともに周辺回路の工夫により，世界最小クラスのチップサイズを実現した。19nm第二世代品と比較して書き込み速度はほぼ同等，また，データ転送速度は高速インタフェース仕様の採用により，1.3倍の速さである533メガビット／秒を実現している。

さらに，プロセスを採用した3ビット／セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており，並行して開発している高性能NANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットPCなどに展開する予定。また，SSDの開発も進め，ノートPCなどへの搭載を図る。

同社は，ロードマップ通り微細化を進めており，今後も積極的に最先端プロセスに切り替えることで，生産性を高め，競争力強化につなげたい考えだ。また，スマートフォン，タブレット，薄型PC，メモリカードなどのコンシューマ製品に加え，高い信頼性が求められるデータセンタ向けのエンタープライズSSDなど多種多様なユーザニーズに対応するため，幅広い用途に向けた製品開発を進めていくとしている。