IV族

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  • 名大,安価で無毒なテラヘルツデバイスに知見

    名古屋大学の研究グループは,シリコン(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)というIV族元素のみで構成されるGeSn/GeSiSn二重障壁構造を超高品質に形成する新技術を開発し,テラヘルツ発振に必要な共鳴トンネルダイ...

    2025.08.22

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