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■産業用カメラ関連技術

2017年02月09日　パナ，可視光CMOSセンサーに赤外線域を積層
パナソニックは，イメージセンサーの同一画素内で，近赤外線域の感度を電気的に変えることが可能な電子制御技術を開発した。有機CMOSイメージセンサーの特長を維持したまま，撮像波長を可視光域から近赤外線域まで拡げるとともに，近赤外線域の感度を電気的に制御する機能を新たに付加（ニュースリリース）。

2017年02月07日　ソニー，CMOSイメージセンサーにDRAMを積層
ソニーは，業界で初めてDRAMを積層した3層構造の積層型CMOSイメージセンサーを開発した（ニュースリリース）。これは，従来の裏面照射型画素部分と信号処理回路部分との2層構造の積層型CMOSイメージセンサーに，さらにDRAMを積層したもの。

2016年02月03日　パナソニック，有機CMOS向けシャッター技術を開発

パナソニックは，有機薄膜を用いたCMOSイメージセンサーにおいて，従来に比べ約10倍の明るさまで忠実に画像を撮像できるグローバルシャッター技術を開発した。

2016年02月03日　パナソニック，広ダイナミックレンジ有機CMOSを開発
パナソニックは，有機薄膜を用いたCMOSイメージセンサーを用いて，明暗差の大きいシーンを，従来比100倍のダイナミックレンジまで，時間差なく撮影できる，広ダイナミックレンジ化技術を開発した。

2016年06月06日　東工大ら，RGBとNIRを同時撮影できるセンサー開発
東京工業大学とオリンパスは，カラー（RGB）画像と近赤外線（NIR）画像を1つの撮像素子で同時に撮影可能なイメージングシステムのプロトタイプを開発した。

2016年12月09日　浜ホト，近赤外にも感度を持つイメージセンサーを開発
浜松ホトニクスは，可視光の他に近赤外にも感度を有するCMOSエリアイメージセンサーを開発した。ウエハー材料とプロセスの工程を最適化し，近赤外領域で高感度を実現している。

2016年03月08日　NHKら，2/3型8K CMOSイメージセンサーを開発
NHKは静岡大学と共同で，画素数が3,300万（水平7,680×垂直4,320画素）で，画素サイズが1.1μmの8K CMOSイメージセンサーを開発した。