富士通セミコンダクターおよび三重富士通セミコンダクターは，米Nantero, Inc.のカーボンナノチューブ（CNT）を利用した不揮発性メモリ「NRAM」のライセンスを受けるとともに，55nmテクノロジーでの商品化に向けて3社で共同開発することに合意した（ニュースリリース）。

3社は，組み込み型Flashメモリ比で数千倍の書き換え耐性／書き換えスピードの実現と，将来的には不揮発性メモリによるDRAMの置き換えを目指し，不揮発性メモリ「NRAM」の開発を進めていく。

富士通セミコンダクターは，2018年末までにNRAM混載カスタムLSIを商品化し，その後，単体NRAM製品にラインナップを広げていく。また，ウェハーファウンドリ会社（製造受託会社）である三重富士通セミコンダクターは，ファウンドリ顧客向けにNRAMベースのテクノロジーを提供する予定。