オン・セミコンダクターは，CCDイメージセンサーの近赤外線の感度向上技術により，要求の厳しい産業用アプリケーションにおけるイメージング性能を向上した新製品「KAI-08052」を発表した（ニュースリリース）。

新製品は，8メガピクセル（MP）のイメージセンサー。近赤外線（NIR）波長において、同社標準のインターライン・トランスファー型CCDピクセル設計の最大2倍の感度を実現した。

これにより，科学・医療画像などの，標本がNIR波長で放射したり蛍光を発するアプリケーション，あるいはマシンビジョンや高度道路交通システム（ITS）な
ど，NIR照明が頻繁に使用されるアプリケーションにおいて威力を発揮する。

新製品で使用されている新しいCCDピクセル設計は，シリコンにおける電子捕獲域を深く広げることにより，長波長の光子（フォトン）により発せられた電子
の捕捉性を向上させる。より深いピクセルウェルは，特定の波長によって最大2倍，NIR波長の検知を向上させる。

また，ウェル構造は，互いのフォトダイオードを隔離するため，イメージの鮮明さ（変調伝達関数またはMTF）を損なうことなくNIR感度が上昇する。この新技術は新製品に初めて適用された。

新製品は，モノクロ，ベイヤーカラー，およびスパースカラー構成でRoHS対応のCPGA-67パッケージで提供され，既存の「KAI-08051」イメージセンサーの5.5 μmおよび7.4μmCCDイメージセンサー・ファミリーと完全なピン互換性があるため，カメラメーカーは，新しいデバイスを素早く採用できるという。