東工大，単分子による書き換え可能な電子素子を開発

東京工業大学と東京大学は，分子一つ（単分子）を用いた書き換え可能な電子素子の開発に成功した（ニュースリリース）。かご状分子の中に同種の分子を積層させることで導電性が，異種の分子を積層させることで整流性が発現することを，単分子計測を用いて明らかにした。

単分子に素子機能を付与する単分子素子が，究極サイズの省電力微小電子素子として注目を集めている。単分子素子は微小なだけでなく，単分子が金属電極間に架橋した構造となっており，金属と分子の接合界面での相互作用，低次元性，ナノサイズを反映して，孤立分子や分子集合体とは異なる物性の発現も期待できる。

これらの新規物性を利用できるのも単分子素子の特徴。そこで研究グループは，機能を自由にデザイン，取り替え可能な単分子素子の開発を目指した。

実験には，かご状の分子に電子を出しやすいドナー分子のトリフェニレン，電子を受け入れやすいアクセプター分子のナフタレンジイミドを積層させた超分子を用いた。積層させた分子はトルエンなどを用いて，化学処理によってかごの中から抽出できる。

走査型トンネル電子顕微鏡（STM）を用いて，金電極間に単一の超分子を架橋させて単分子接合を作製した。具体的には、分子を含む溶液中で金（Au）のSTM探針をAu単結晶基板に一度ぶつけて引き離すプロセスを繰り返した。

探針をぶつけると金の接合ができるが，それを引き離すと接合が破断し，探針と基板間にギャップが形成される。ギャップ形成後，多数の分子が電極間を架橋するが，引き離すに従い架橋分子数が減少し，最後は単分子を架橋させることができる。

作製した単分子接合の電流―電圧特性より，ドナー分子とアクセプター分子を積層させた場合では正側で伝導度が高いこと，ドナー分子を2枚積層させた場合では伝導性が極性に依存しないことが分かった。かご内に分子を積層させないと，伝導度は検出限界以下となった。

この結果から，ドナー分子を積層させると高い伝導性を示す導電性単分子ワイヤとなり，ドナーとアクセプター分子を積層させると単分子ダイオードとなることが分かる。

理論計算を行なうことで，実験で観測された整流特性は再現され，電子の流れる方向はドナー分子からアクセプター分子であることが分かった。さらにドナー分子とアクセプター分子を積層させた場合，ドナー分子側の分子軌道が金の電極により強く相互作用し，片側の電極電位の影響を強く影響をうけるため整流特性が発現することも明らかとなった。

今回の研究により，1分子を用いた機能を自由にデザインし，変えることのできる電子素子を開発した。研究グループは基板上に集積化して，かご内に積層する分子を目的に応じて選択し，自由にプログラミング可能な回路の作製を目指すとしており，まずは，個々の素子の性能の向上および新たな機能をもった素子開発を行なう。

今回得られた単分子ダイオードの整流性は最大でも10であった。積層させる分子やかごの大きさなどを最適化することで，さらなる整流比の向上を目指す。分子でコンピュータをつくるには，配線，ダイオード，トランジスタ，メモリが必要な要素となる。

今回，かご分子内に積層する分子を選択することで，配線，ダイオードをつくりわけることができた。光や電気化学電位によって，構造や酸化状態の変わる分子を積層することによって，トランジスタやメモリ機能を有する単分子素子の開発を目指すとしている。