古河電気工業はファインセラミックスセンターと共同で，電子線ホログラフィを用いた化合物半導体に含有する不純物分布解析手法を開発し，化合物半導体のpn接合だけではなく，極めて微量な不純物濃度差を捉えることに成功した（ニュースリリース）。
今回開発した手法は，2次元の複雑なデバイス構造をナノレベルで解析できるため，半導体デバイスの不良品解析や新商品開発に活用することができるとしている。具体的には，デバイスの故障原因を明らかにし，設計や製造プロセスにフィードバックすることで長寿命かつ高出力の設計指針を得ることが可能となる。
