東芝は，三次元構造のNAND型フラッシュメモリ（3Dメモリ）の専用設備を設置する拡張スペースを確保するために，四日市工場の第2棟を建て替える。今月から解体・撤去作業を開始し，9月に起工，2015年夏に竣工する予定。同社は2015年度後半以降，2Dメモリから3Dメモリへの切り替えを目指す。

同社とサンディスクは共同で設備投資を実施する覚書に合意し，東芝が旧建屋解体・撤去・新建屋建築を担当し，東芝・サンディスクの両社共同で製造設備を導入する計画。

東芝とサンディスクは，今後，3Dメモリの生産効率を一層向上させるために，次世代露光や成膜，エッチングなどの最先端装置を順次導入する。両社は，市場動向にあわせたタイムリーな設備投資，微細化や新規メモリの開発など，メモリ事業の競争力強化に向けた取り組みを積極的に展開していく。