物質・材料研究機構（NIMS），東北大学金属材料研究所，同大学電気通信研究所らの研究グループは共同で，従来のスピン分解光電子分光法では検出が困難であった埋もれた強磁性層からの，スピン分解電子状態の検出に成功した。

ハードディスク磁気記録媒体の記録情報読み出し用ヘッドなど，強磁性体を用いたデバイス開発において，非磁性体材料に埋もれた強磁性層のスピン分解電子状態の直接観測をすることは，強磁性体を用いたデバイス開発において必要不可欠。しかしながら，スピン分解電子状態を測定できる従来のスピン分解光電子分光法では，埋もれた強磁性層の情報を得ることは困難だった。

研究グループは，埋もれた強磁性層からの電子状態を測定するため，大型放射光施設SPring-8の高輝度硬X線を利用した。硬X線を用いた光電子分光法では，埋もれた層からの電子状態を測定することができる。また，従来の方法とは異なるスピン検出方法を考案し，硬X線光電子分光法と組み合わせることによって検出効率を大きく向上させた。

その一例として，この硬X線スピン分解光電子分光法により，Au（金）薄膜層の下に埋もれたFeNi（鉄ニッケル）合金からなる強磁性層のスピン分解電子状態の検出に成功した。

新しく考案した手法により，これまでの手法では直接的な観測が難しかった，強磁性体と非磁性体の界面近傍での，強磁性体のスピン分解電子状態を測定することが可能となる。強磁性体を用いたデバイス構造の特性評価と，強磁性層と非磁性層の接合界面近傍での強磁性層のスピン分解電子状態を比較，検討することで，デバイス特性の向上への寄与や新物質開発への応用展開が期待される。

詳細はNIMS プレスリリースへ。