東レは，単層カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ（Carbon Nano-Tube Thin Film Transistor ：CNT-TFT）において，塗布型TFTとしては世界最高レベルとなる移動度13 cm2/Vs，オンオフ比106 を達成した。これは半導体純度を大幅に高めた単層CNTと独自開発した半導体ポリマーを複合化することにより，単層CNTの高い半導体特性を十分に引き出すことに成功したもの。
CNTの高い半導体特性を生かすためには，通常の合成方法では半導体型と金属型の混合物となるCNTから，半導体型CNTを高い純度で取り出す必要がある。しかし，これまでは純度が思うように上がらない，または純度は上がるがCNTの品質が低下してしまうという問題があった。また，純度の高いCNTほど凝集する力が強く，均一な分散が困難だった。
同社はこれまで，半導体ポリマーを単層CNTの表面に付着させることで，導電性を阻害することなく単層CNTの凝集を抑制できることを世界に先駆けて見出し，既に単層CNTの均一分散技術の基本特許を出願・権利化している。今回この技術を，TASC（技術研究組合 単層CNT融合新材料研究開発機構）が開発した高半導体純度の単層CNTに展開することにより，高い半導体純度と品質を維持しながら，単層CNTの均一分散を実現した。
これにより，高半導体純度の単層CNTの均一なネットワークをインクジェットなどの塗布方法で形成できるようになり，移動度10cm2/Vsを超える高いTFT特性が可能となった。
また，TFTの実用化に向けては，広い面積に数多く配置されたTFT素子間のバラツキをできるかぎり小さくする必要がある。半導体純度を高める前の単層CNTでは，金属型CNTが電極間を橋渡し（短絡）する確率が高く，素子間バラツキの主原因の一つとなっていた。今回開発した技術で金属型CNTによる短絡確率が大幅に低下したことにより，素子間バラツキを4分の1にまで低減することができた。
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