産業技術総合研究所，太平洋セメント，屋久島電工は共同で，パワー半導体用炭化ケイ素（SiC）バルク単結晶の高速成長を可能とする昇華法用高純度SiC粉末原料を開発した。SiCバルク単結晶成長法の昇華再結晶法は現在のSiCウエハー量産技術として既に確立しているが，結晶成長速度が遅いため，SiC単結晶インゴットの製造コストが非常に高いという問題があった。
今回，SiC原料粉末からの昇華ガスの発生しやすさに着目し，ガスの透過性を利用した空気透過法（ブレーン法）を用いて，現状の製造工程での温度条件を大きく変えずに成長速度を約 2倍に向上させることが可能となる粒子形状を有した高純度SiC粉末原料を開発した。
開発したSiC粉末原料を従来のSiC粉末原料と置き換えるだけでSiCバルク単結晶の高速成長が可能となり，高温工程の時間短縮によるコスト低減・工程の簡素化ができる。また本粉末の製造法は，従来のSiC研磨材の量産技術であるアチソン法を元に改良したもので，高純度化に加え高い量産性を持つことも特徴。
今回，昇華率の高いSiC原料粉末を開発したことによって，高濃度不純物添加と高速成長を両立した低抵抗SiCバルク単結晶を得られるようになった。結晶成長速度は最大2.2mm/hまで確認した。
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