東芝は，スマートフォンやタブレットなどの携帯機器向けに，19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを採用した，32GBと16GBの組込み式NAND型フラッシュメモリ（e・MMCTM）を製品化し，11月下旬から量産を開始する。
新製品は，今年9月に開催されたJEDECで正式に策定された e・MMCTM Version 5.0に準拠し，19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリとコントローラチップを一体化した制御機能付の組み込み式NAND型フラッシュメモリ。最先端プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリチップを使用することにより，従来製品に比べてパッケージサイズ面積が22%小型化した。
また，新規高速インターフェース規格HS400の適用，コントローラの処理能力向上，書き込み処理の最適化などにより，従来製品に比べて読み出し速度が64%，書き込み速度が32GBで38%，16GBで25%，高速化した。なお，4GB，8GB，64GB，128GBの製品も順次量産を行なう予定としている。
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