産業技術総合研究所ナノスピントロニクス研究センター研究センター長の湯浅新治氏、主任研究員の野崎隆行氏は、磁石の磁化の向きを電圧で高効率に制御する技術を開発した。

鉄にホウ素を添加した磁石材料を超薄膜化し、酸化マグネシウムの絶縁層2層で挟み込んだ積層構造において、電圧を加えることで生じる磁気異方性の変化量を、従来よりも約3倍高効率化することに成功した。

不揮発性固体磁気メモリーなどに代表されるスピントロニクスデバイスの低消費電力駆動化を促進する技術として期待される。

この研究成果は、独立行政法人 科学技術振興機構（JST）の戦略的創造研究推進事業（CREST）の一環として行われた。

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