日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター任期付研究員の圓谷志郎氏、物質・材料研究機構（NIMS）極限計測ユニットグループリーダーの山内泰氏らは、スピン偏極準安定ヘリウムビームを用いることで、素子構造において磁性金属と接合したグラフェンのみの電子スピン状態を検出することに成功した。

当研究チームは、スピン偏極準安定ヘリウムビームを照射する計測手法を用いてグラフェンと磁性金属（ニッケル）の接合体を観測することで、グラフェンのみの電子スピン状態を観測することに初めて成功。その結果、ニッケルと接するグラフェンの伝導電子には、ニッケルのスピンと同じ向きにスピン偏極が生じることを明らかにした。

本研究成果は、グラフェンをはじめ新たなスピントロニクス材料として注目されている二次元物質のスピン物性研究やスピン注入技術の開発などの素子応用を大きく進展させるものと期待される。

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