東芝,19nm第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリを量産開始

東芝は,19nm第二世代プロセスを用いた2ビット/セルの64ギガビット(8ギガバイト)のNAND型フラッシュメモリを開発,今月から量産を開始する。

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新製品は,19nm第二世代プロセスを採用するとともに周辺回路の工夫により,2ビット/セルの64ギガビットのNAND型フラッシュメモリとしては世界最小の94㎟というチップサイズを達成した。また,独自の高速書き込み回路方式により,2ビット/セル製品としては世界最速クラスの25メガバイト/秒の書き込み速度を実現する。

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