東芝は，19nm第二世代プロセスを用いた2ビット／セルの64ギガビット（8ギガバイト）のNAND型フラッシュメモリを開発，今月から量産を開始する。

新製品は，19nm第二世代プロセスを採用するとともに周辺回路の工夫により，2ビット／セルの64ギガビットのNAND型フラッシュメモリとしては世界最小の94㎟というチップサイズを達成した。また，独自の高速書き込み回路方式により，2ビット／セル製品としては世界最速クラスの25メガバイト／秒の書き込み速度を実現する。

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