キヤノンアネルバと産業技術総合研究所は共同で、ドライプロセスだけで形成したカドミウム（Cd）を含まないCIGS太陽電池において、従来の手法である部分的にウェットプロセス（溶液成長法）を用いた場合に近い光電変換効率を実現する技術を開発した。

この方法の特徴は、バッファ層の成膜方法にドライプロセスであるスパッタリングを用いることと、バッファ層材料がZnMgO（酸化亜鉛にマグネシウムを混合した物質）であること。CIGS小面積セル（0.5 cm²）において、光電変換効率16.2%（反射防止膜あり）を達成した。

CIGS太陽電池から有害物質であるカドミウム（Cd）を排除できるばかりではなく、オールドライプロセスでの高効率CIGS太陽電池製造の実現が期待される。

詳しくはこちら。