シャープ，窒化ガリウムパワートランジスタを開発

2013年03月18日 カテゴリ：ニュース ,製品・開発品

シャープは，定格電圧600Vの窒化ガリウム（GaN）パワートランジスタを開発し，4月15日よりサンプル出荷を開始しする。また，本年中に福山工場の6インチラインでの生産開始を目指す。同社はこの製品により，GaNパワーデバイス市場に参入することになる。

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同社のLSIプロセス技術とLEDなどの化合物半導体技術を融合させ，GaNを採用した定格電圧600Vのパワートランジスタの開発に成功した。従来のシリコン（Si）パワートランジスタに比べて通電時やスイッチ動作時の電力ロスが少ないため，省エネ化に貢献する。また，高速のスイッチ動作が可能となるので，コイルなど周辺部品の小型・軽量化を実現する。

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