米国リソグラフィ用光源大手のCymerは，オランダ・ASMLのEUVリソグラフィでMOPA（Master Oscillator Power Amplifier）方式によるプレパルス連続運転において，40WのEUV光を確認したと，2月24～28日に開催された国際会議「SPIE Advanced Lithography」の中で報告した。

線幅1Xnmの半導体微細加工に向けては，自己組織化材料を利用した微細パターニング（DSA）技術も進展しているほか，ニコンではArF液浸スキャナでも対応できるとの報告もある。EUVリソグラフィでは量産装置の確立に加えて，レジスト材料やマスク，計測技術などの確立も不可欠とされており，企業・関連団体では実用化に向けて開発を加速させている。