三菱電機は，ダイオード部にSiCを用いた高周波用ハイブリッドSiCパワー半導体モジュール6品種（1200V/100~600A 2in1）のサンプル提供を5月15日に開始する。
SiCを用いることで，太陽光発電用パワーコンディショナ，無停電電源装置（UPS），医療機器用電源などのインバーターを使用したパワーエレクトロニクス機器のさらなる高効率化や小型・軽量化に貢献する（プレスリリース）。
新製品はダイオード部にSiC-SBD（半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード），トランジスタ部に高周波用Si-IGBTを搭載したハイブリッド構成となっており，SiC-SBDによりリカバリー電流が発生せず，スイッチング損失が大幅に減ることで電力損失が約40%低減した。
高速スイッチングに対応した低インダクタンスパッケージを採用し，100A，150A品は，従来製品に比べ内部インダクタンスを約30%低減。また従来製品との外形互換性を確保することにより，置き換えも可能。
