脱炭素社会実現のために高性能パワーエレクトロニクス（パワエレ）装置の実現が望まれている．このパワエレ装置の性能を決める基幹部品であるパワー半導体デバイスでは，新材料SiC/GaNデバイスの普及が期待されているが，現状では，IGBTをはじめとしたシリコンパワー半導体デバイスが主役に君臨しており，今後しばらくはシリコンパワー半導体デバイスの時代が続くともいわれている．これはとりもなおさず，SiC/GaNデバイスの性能，信頼性，さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる．最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaNパワー半導体デバイス開発技術の現状と今後の動向について，わかりやすく，かつ丁寧に解説する．

講師：岩室憲幸（筑波大学）

【目次】
１．はじめに
　1) パワー半導体デバイスの現状
　2) 次世代パワー半導体デバイス開発の位置づけ
２．MOSFETとIGBT
　1) シリコンMOSFET
　2) シリコンIGBT
　3) MOSFET, IGBTの最新技術
３．新材料パワー半導体デバイス
　1) SiCパワー半導体デバイスの現状と課題
　2) GaNパワー半導体デバイスの現状と課題
４．実装技術の進展