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産総研,微細トランジスタの不純物濃度分布を高精度で測定するシミュレーション技術を開発

産総研,微細トランジスタの不純物濃度分布を高精度で測定するシミュレーション技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)は,微細トランジスタの不純物濃度分布を高精度で測定するための走査トンネル顕微鏡(STM)シミュレーション技術を開発した(ニュースリリース)。 近年トランジスタの微細化は限界に迫ろうとしており, […]
NIMS,全固体リチウム二次電池の正極-固体電解質界面の高精度電子・原子シミュレーションに成功

NIMS,全固体リチウム二次電池の正極-固体電解質界面の高精度電子・原子シミュレーションに成功

物質・材料研究機構(NIMS)の研究グループは,次世代蓄電池の一つである全固体リチウム二次電池の正極-固体電解質界面の高精度電子・原子シミュレーションに世界で初めて成功し,正極界面における界面抵抗の起源を理論的に実証した […]