4. おわりに
本稿では，筆者が進めているBi 系III-V族半導体半金属混晶の結晶欠陥制御を基にした光学・テラヘルツ両デバイス開発への挑戦について述べた。Bi系III-V族半導体の学術的に興味深い基礎特性が更に多種多様な半導体デバイス開発につながる一助となる研究成果が上げられれば幸いである。
謝辞
本研究成果は，北海道大学 石川史太郎教授，（国研）情報通信研究機構 赤羽浩一博士，明治大学 上田修博士との共同研究によるものである。また，本研究の遂行にあたっては，科学研究費助成事業（JP18K14140，JP 19H04548，JP21K04910，JP 21K04914，JP 21H01829，JP 21H05566，JP 21KK0068），池谷科学技術振興財団，村田学術振興財団，中国電力技術研究財団，古川技術振興財団の各助成を受けた。関係各位に厚く御礼申し上げる。
参考文献
1）K. Oe, and H. Okamoto, JJAP, 37, L1283 (1998).
2）A. Janotti et al., PRB. 65, 115203 (2002).
3）Y. Zhang et al., PRB. 71, 155201 (2005).
4）B. Fluegel, et al,. PRL 97, 067205 (2006).
5）M. Yoshimoto, et al., JJAP, 42, 371 (2003).
6）G. Luo, et al., NPG Asia Materials, 9, e345 (2017).
7）Y. Tominaga et al., APEX 3, 062201 (2010).
8）T. Fuyuki, et al., APL, 103, 202105 (2013).
9）P. Ludewig, et al., APL, 102, 242115 (2013).
10）J. Yoshida et al., JJAP, 42, 371 (2003).
11）Y. Tominaga et al., APL, 93, 131915 (2008).
12）T. Matsuda et al., Nano Lett., 19, 12, 8510 (2019).
13）吉岡，富永，石川，赤羽ら，第82回応用物理学会秋季学術講演会，12p-N406-9，2021 年9月.
14）岡村，富永，石川，赤羽ら，第82回応用物理学会秋季学術講演会，12p-N406-10，2021 年9月.
15）S. Gupta, et al., JQE, 28, 2464 (1992).
16）I. S. Gregory, et al., PRB, 73, 195201 (2006).
17）X. Liu, et al., APL, 67, 279 (1995).
18）Y. Tominaga et al., APEX 15, 045504 (2022).
19）https://www.hiroshima-u.ac.jp/news/70017
20）O. Ueda et al., JCG, 601, 126945 (2023).
2）A. Janotti et al., PRB. 65, 115203 (2002).
3）Y. Zhang et al., PRB. 71, 155201 (2005).
4）B. Fluegel, et al,. PRL 97, 067205 (2006).
5）M. Yoshimoto, et al., JJAP, 42, 371 (2003).
6）G. Luo, et al., NPG Asia Materials, 9, e345 (2017).
7）Y. Tominaga et al., APEX 3, 062201 (2010).
8）T. Fuyuki, et al., APL, 103, 202105 (2013).
9）P. Ludewig, et al., APL, 102, 242115 (2013).
10）J. Yoshida et al., JJAP, 42, 371 (2003).
11）Y. Tominaga et al., APL, 93, 131915 (2008).
12）T. Matsuda et al., Nano Lett., 19, 12, 8510 (2019).
13）吉岡，富永，石川，赤羽ら，第82回応用物理学会秋季学術講演会，12p-N406-9，2021 年9月.
14）岡村，富永，石川，赤羽ら，第82回応用物理学会秋季学術講演会，12p-N406-10，2021 年9月.
15）S. Gupta, et al., JQE, 28, 2464 (1992).
16）I. S. Gregory, et al., PRB, 73, 195201 (2006).
17）X. Liu, et al., APL, 67, 279 (1995).
18）Y. Tominaga et al., APEX 15, 045504 (2022).
19）https://www.hiroshima-u.ac.jp/news/70017
20）O. Ueda et al., JCG, 601, 126945 (2023).
■Optical and Terahertz Devices Based on Control of Crystal Defects of Bi-based III-V Compound Semiconductors
■Yoriko Tominaga
■Associate Professor, Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima University
トミナガ ヨリコ
所属：広島大学 大学院先進理工系科学研究科 先進理工系科学専攻 量子物質科学プログラム 准教授
