ウシオ電機とオランダ応用科学研究機構（The Netherlands Organization for Applied Scientific Research：TNO）は2月15日，次世代の半導体製造用極端紫外光（EUV）露光技術の開発を目的とした，戦略的パートナーシップの締結を発表した（ニュースリリース）。

ウシオとTNOは，EUVの光学系やレチクルに影響を及ぼす紫外線を研究する目的で，新しい実験的なEUV露光と分析を行なう施設「EBL2」を共同で建設している。この施設は，今後の露光装置の出力ロードマップにおいて予見される，あらゆる極端紫外光の状態下で発生する表面汚染の影響について，理解を深めるためのもの。

この研究施設の建設により，次世代の露光装置，マスク，ペリクルの開発が加速化されるという。ウシオの高輝度SnLDP（レーザアシストプラズマ放電方式）EUV光源は，露光装置の状態と類似した管理された環境下でEUV光を供給する。サンプルの取り扱いと搬送は自動化され，クリーン度はEUV製造にふさわしい最先端半導体製造のクリーン度に匹敵する。

このSnLDP EUV光源はクセノン光源に比べ，およそ5倍から10倍の輝度と出力を達成することが可能だとしてる。したがって，2017年以降の導入が計画されているEUV露光に伴うEUVマスク検査のスループットにも対応することができるという。

EUVマスク技術は，EUV露光の事業化にとって重要であり，マスクブランクス欠陥検査（ABI：Actinic Blank Inspection）やマスクパターン欠陥検査（API：Actinic Pattern Inspection）などのようなEUVマスク検査装置の開発が必要。ウシオでは，検査用光源をマスク検査装置メーカーに提供することで，装置メーカーおよびマスクメーカーのマスク検査プロセスを支援するとしている。