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産総研,LSI銅微細配線の代替に期待できる 20nm幅の高性能なグラフェン微細配線を開発

産総研,LSI銅微細配線の代替に期待できる 20nm幅の高性能なグラフェン微細配線を開発

産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター特定集中研究専門員の近藤大雄氏らは,二次元ナノカーボン材料である多層グラフェンを利用した20nm幅の微細配線を作製し,低抵 […]
産総研,多結晶ゲルマニウムでp,n両極性のトランジスタ動作に成功 -低温積層CMOSによる3次元LSIの実現に繋がる成果-

産総研,多結晶ゲルマニウムでp,n両極性のトランジスタ動作に成功 -低温積層CMOSによる3次元LSIの実現に繋がる成果-

産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター特定集中研究専門員の臼田宏治氏らは,大規模集積回路(LSI)の3次元積層技術に向けた多結晶ゲルマニウム(Ge)トランジスタ […]
原研など、高い細胞接着性を持つ生体に優しいプラスチックの開発に成功

原研など、高い細胞接着性を持つ生体に優しいプラスチックの開発に成功

日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門環境材料プロセシング研究グループ任期付研究員の大山智子氏は、早稲田大学理工学術院客員准教授の大島明博氏ら、大阪大学産業科学研究所招聘教授の田川精一氏らと共同で、集束イオンビーム […]