貫通転位

阪大，GaN半導体の貫通転位を非破壊で識別

大阪大学の研究グループは，多光子励起フォトルミネッセンス法を用いて窒化ガリウム（GaN）半導体の貫通転位を非破壊で観察し識別する技術を開発した（ニュースリリース）。 消費電力の大幅な効率化を可能とするGaN半導体を用いた...

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