抵抗

抵抗の記事一覧

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  • 阪大ら,半導体と金属界面の接触抵抗の評価法を一新

    大阪大学,京都工芸繊維大学,伊トリノ工科大学は,異なる材料間の界面での接触抵抗を直接比較できる界面物性評価手法を開発し,半導体デバイスの利用条件に適した界面材料を提案できることを明らかにした(ニュースリリース)。 これま...

    2025.03.27
  • 阪大ら,水素イオンによる巨大な抵抗変化を制御

    大阪大学,米パデュー大学,インド理科学院は共同で,新規デバイスの候補材料として注目されている強相関酸化物であるNdNiO3薄膜をチャネルとする二端子電界駆動型プロトンレジスターを作製し,プロトンの電界拡散に伴う大きな抵抗...

    2020.12.16
  • 三菱電機ら,SiCパワー半導体の抵抗要因の影響度を解明

    三菱電機と東京大学は,世界で初めて,パワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明するとともに,要因の一つである電荷による電子散乱の抑制により,界...

    2017.12.07

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