ラシュバ型

理研，電流パルスで磁壁をトラップする技術を開発

理化学研究所（理研），物質・材料研究機構の共同研究チームは，電流パルスにより磁壁を決まった位置に素早く止めるトラップ技術を理論的に発見した（ニュースリリース）。 高密度の次世代不揮発性メモリで磁気抵抗メモリ（MRAM）や...

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