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メモリの記事一覧

全58件中 1〜10件目を表示
  • 筑波大ら，マルチフェロイック物質を100fs光制御

    筑波大ら，マルチフェロイック物質を100fs光制御

    東京科学大学，筑波大学，東北大学，名古屋大学，名古屋工業大学は，マルチフェロイック物質であるBiFeO3の単結晶薄膜を時間幅100fsの光パルスで励起することで，分極の大きさをパルス幅以内の時間で室温でも操作できることを...

    2024.12.09

  • 東北大，光電融合の不揮発性磁気メモリ材料を開発

    東北大学，韓国科学技術院（KAIST），米マサチューセッツ工科大学（MIT）と協力し，光で情報記録が可能であるコバルト/白金構造が，今回電気でも効率的情報記録できることを示し，光ファイバーからでも電気配線からでもデータを...

    2023.07.06

  • 東北大ら，相変化メモリの消費電力減に新材料発見

    東北大学，産業技術総合研究所，慶應義塾大学は，次元層状物質であるNbTe4が，アモルファス/結晶相変化により，一桁以上の大きな電気抵抗変化を生じることを発見した（ニュースリリース）。 外場によって生じる相の変化により大き...

    2023.07.03

  • 京大ら，トポロジカル性のスイッチ効果を室温で実現

    京都大学と筑波大学は，21世紀の新しい物質「トポロジカル量子物質」の一種である「トポロジカル結晶絶縁体」を用いて，そのトポロジカル性に由来する新奇なスイッチング効果を室温で実現することに成功した（ニュースリリース）。 「...

    2023.03.02

  • 阪大，300℃超に耐える抵抗変化型メモリ素子を実現

    大阪大学の研究グループは，抵抗変化型メモリ素子であるメモリスタを高温で動作させることに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 シリコントランジスタの動作温度は，シリコン半導体の物性値（主にバンドギャップ）から200℃...

    2023.02.08

  • 兵県大ら，希土類フリー酸化物で光スイッチング観測

    兵庫県立大学，高輝度光科学研究センター（JASRI），京都大学は，ニッケル・コバルト酸化物NiCo2O4の薄膜において，レーザー照射のみでその磁気構造を変化させることに成功した（ニュースリリース）。 電子の自由度のうちス...

    2023.01.12

  • 東大ら，FeSiで室温下の電流誘起磁化反転を実現

    東京大学，理化学研究所，東北大学は，FeSiが有するトポロジカル表面状態が，各種絶縁体を接合することで大きく変調されることを発見し，特にフッ化物絶縁体を接合することにより室温における電流誘起磁化反転を実現した（ニュースリ...

    2022.12.21

  • 東北大ら，光による磁気スイッチの新原理を発見

    東北大学，中央大学，名古屋大学は，磁気秩序を持たないキタエフ量子スピン液体物質（α-RuCl3）に光（円偏光）パルスを照射した瞬間，磁化が発生することを発見した（ニュースリリース）。 逆ファラデー効果は，光による磁化の発...

    2022.08.24

  • 東大ら，歪みで異常ホール効果をスイッチング

    東京大学，加ブリティッシュコロンビア大学，米コーネル大学，中央大学，米ジョンズホプキンス大学，英バーミンガム大学は，磁化をほとんど持たないにもかかわらず，室温で巨大な異常ホール効果を示す反強磁性体Mn3Snにおいて，一軸...

    2022.08.19

  • 横国大，光ランダムアクセス量子メモリを実証

    横浜国立大学の研究グループは，ダイヤモンド中の窒素空孔中心（NV中心）からなるスピン量子ビットを，独自の手法で高空間分解能かつ高忠実度に制御することに成功した（ニュースリリース）。 ダイヤモンド中の窒素空孔中心（NV中心...

    2022.07.29

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