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メモリー

メモリーの記事一覧

全10件中 1〜10件目を表示

  • 東北大，光電融合の不揮発性磁気メモリ材料を開発

    東北大学，韓国科学技術院（KAIST），米マサチューセッツ工科大学（MIT）と協力し，光で情報記録が可能であるコバルト/白金構造が，今回電気でも効率的情報記録できることを示し，光ファイバーからでも電気配線からでもデータを...

    2023.07.06

  • 東北大ら，相変化メモリの消費電力減に新材料発見

    東北大学，産業技術総合研究所，慶應義塾大学は，次元層状物質であるNbTe4が，アモルファス/結晶相変化により，一桁以上の大きな電気抵抗変化を生じることを発見した（ニュースリリース）。 外場によって生じる相の変化により大き...

    2023.07.03

  • 阪大，磁気ゆらぎを利用し巨大磁気抵抗効果を観測

    大阪大学の研究グループは，フラストレート磁性体と呼ばれる磁気ゆらぎの強い結晶を用いて，単一結晶のみで巨大磁気抵抗効果の観測に初めて成功した（ニュースリリース）。 巨大磁気抵抗効果とは，磁気をもつ鉄やコバルトのような磁性薄...

    2020.03.02

  • 2021年，300mmファブ製造装置投資額は600億ドル

    SEMIは，9月3日（米国時間），300mmファブの製造装置投資額が，2019年は減少するものの2020年に緩やかに回復し，2021年には600億ドルと過去最高記録を更新するとの予測を発表した（ニュースリリース）。 この...

    2019.09.04

  • SEMI，2020年半導体前工程への投資額20%増を予測

    SEMIは，6月11日（米国時間），半導体産業の前工程ファブ装置への投資額は2019年（暦年）に484億ドルと前年比19%の減少をした後，2020年は20%増の584億ドルへ反発するとの予測を発表した（ニュースリリース）...

    2019.06.12

  • 東大，IGZOを用いた強誘電体メモリーを開発

    東京大学は，8nmの金属酸化物半導体IGZOをチャネルとしたトランジスター型強誘電体メモリー（FeFET）の開発に成功した（ニュースリリース）。 強誘電体二酸化ハフニウム（HfO2）をゲート絶縁膜としたFeFETは，低消...

    2019.06.12

  • 半導体前工程装置市場，2019年に減少も2020年は過去最高へ

    SEMIは，3月12日（米国時間），半導体前工程装置の世界市場は2019年に14%減の530億ドルとなるものの，2020年に急速に回復し27%増の670億ドルに達し，過去最高金額を更新するとの予測を発表した（ニュースリリ...

    2019.03.14

  • 産総研ら，新規メモリーに必要な電圧スピン制御を達成

    産業技術総合研究所（産総研），東北大学，物質・材料研究機構，大阪大学，高輝度光科学研究センターは共同で，電圧制御型の磁気メモリー（電圧トルクMRAM）用の新材料を開発し，高効率な電圧スピン制御を実現した（ニュースリリース...

    2017.12.04
  • 東芝，磁化反転不揮発性磁気メモリに新書込み方式

    東芝，磁化反転不揮発性磁気メモリに新書込み方式

    内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の研究開発プログラムの一環として東芝は，電圧書込み方式の不揮発性磁気メモリの新たなアーキテクチャ技術を開発した（ニュースリリー...

    2016.12.05

  • 千葉工大ら，高温で動作する不揮発性メモリーを開発

    千葉工業大学，産業技術総合研究所，物質・材料研究機構は共同で，白金ナノギャップ構造を利用し，600 ℃でも動作する不揮発性メモリー素子をはじめて開発した（ニュースリリース）。 通常のシリコン半導体を用いたメモリー素子では...

    2016.10.12

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