ウルトラワイドバンドギャップ半導体

ウルトラワイドバンドギャップ半導体の記事一覧

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  • 名大ら,AlN系UWBG半導体で理想的なpn接合実現 

    名大ら,AlN系UWBG半導体で理想的なpn接合実現 

    名古屋大学と旭化成は,次世代半導体材料として期待される窒化アルミニウム(ALN)系材料において,理想的な特性を示すpn接合を作製することに世界で初めて成功した(ニュースリリース)。 現在広く使われている半導体材料であるシ...

    2023.12.15

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