電子散乱

電子散乱の記事一覧

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  • 東大ら,新窒化物半導体ヘテロ接合の電子散乱を解明

    東京大学,住友電気工業は,新規窒化物半導体ヘテロ接合における二次元電子ガスの散乱機構を解明した(ニュースリリース)。 窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)は,バンドギャップが大きく,強い分極,強誘電性を有しており,...

    2025.07.09
  • 三菱電機ら,SiCパワー半導体の抵抗要因の影響度を解明

    三菱電機と東京大学は,世界で初めて,パワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明するとともに,要因の一つである電荷による電子散乱の抑制により,界...

    2017.12.07

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