研磨

研磨の記事一覧

全12件中 1〜10件目を表示
  • 東北大ら,研磨不要のAu薄膜表面平滑化技術を開発 

    東北大学,産業技術総合研究所,関東化学は,表面が粗いAuめっき膜を平滑なAu薄膜に重ねる付加的な平滑化手法を新たに開発した(ニュースリリース)。 次世代小型電子デバイスの実装工程には,熱によるダメージや残留応力を避けるた...

    2025.01.28
  • 早大ら,半導体表面を原子レベルの平坦にする現象

    早稲田大学,名古屋大学,中国内モンゴル民族大学,日本原子力研究開発機構は,半導体表面を原子レベルで平坦にする新技術として応用可能な,ステップアンバンチング現象を発見した(ニュースリリース)。 SiCウエハーの表面に凹凸が...

    2023.07.21
  • 立命大,チタン合金の超精密研磨技術を開発

    立命館大学の研究グループは,チタン合金の高効率・超精密研磨技術の開発に成功した(ニュースリリース)。 チタン合金は優れた機械的特性,耐食性,生体適合性などを持つ高機能材料であり,高性能な機器に応用するために,さまざまな加...

    2022.12.07
  • 東大,アクリル板と水で原子レベルの平坦化を実現

    東京大学の研究グループは,アクリル板を用いた革新的な研磨技術を開発した(ニュースリリース)。 ミラーや,SiCやGaNの基板では原子レベルの平坦性を実現する研磨技術が求められている。 表面を平坦化するためには,使用する研...

    2022.03.04
  • 立命大,SiCの高効率研磨技術を開発

    立命館大学の研究グループは,パワー半導体材料であるSiC(炭化ケイ素)の高効率研磨技術の開発に成功した(ニュースリリース)。 SiCはその優れた特性から,電気自動車や鉄道車両等に搭載される電力制御装置などへの応用が進めら...

    2021.12.01
  • 阪大ら,理想的な完全結晶表面の創製に成功

    大阪大学,奈良先端科学技術大学院大学,中国大連交通大学は共同で,薄膜成長の土台となる単結晶基板(成長用基板)に原子の乱れを完全に除去した理想的な究極平坦表面(完全結晶表面)の作製に成功した(ニュースリリース)。 ナノエレ...

    2021.11.16
  • 産総研ら,大口径SiCウエハーの高速研磨に成功

    産業技術総合研究所(産総研),ミズホ,不二越機械工業は,SiCウエハーの平坦化を高速で達成するラッピング技術を開発した(ニュースリリース)。 SiCウエハーは加工の難しい高硬脆材料で,これまでウエハーの平坦化は,研削加工...

    2021.09.01
  • 阪大ら,大型ダイヤモンド基板を高能率研磨

    大阪大学,産業技術総合研究所,ティー・ディ・シーは,モザイク法で作製した大きさが世界最大クラスの単結晶ダイヤモンド基板を,プラズマを援用することで破損が生じることなく高能率に研磨することに成功した(ニュースリリース)。 ...

    2020.11.17
  • 金工大,半導体デバイスの研磨過程にAI活用

    金沢工業大学の研究グループでは,EVや自動運転,スマートフォンなどのモバイル端末,省エネパワーデバイスなど,さまざまな分野で急速に需要が拡大している高性能半導体デバイスの製造に欠かせない研磨プロセスの新たな制御手法として...

    2020.01.14
  • NSCら,ケミカル研磨で曲面有機ELパネルを開発

    NSCは山形大学と共同で,高度化したケミカル研磨技術を用いたガラス基板ベースの曲率半径R100mmで大きく曲がる有機ELパネルを開発した(ニュースリリース)。 このパネルは,高信頼性が求められる車載向け等で,曲げた状態で...

    2019.01.18

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