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パワーデバイス

パワーデバイスの記事一覧

全8件中 1〜8件目を表示

  • OKIら，QST基板上でGaNの剥離／接合技術を開発

    OKIは，信越化学工業と共同で，信越化学が独自改良したQST基板からOKIのCFB技術を用いてGaN（窒化ガリウム）機能層のみを剥離し，異種材料基板へ接合する技術の開発に成功した（ニュースリリース）。 GaNデバイスは，...

    2023.09.05

  • 阪大，SiCの絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減

    大阪大学の研究グループは，炭化珪素（SiC）パワーデバイスの心臓部となる絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減する事に成功した（ニュースリリース）。 パワーデバイスは，電力の変換と制御を司り，従来はシリコン半導体を用いて製造されて...

    2023.08.03

  • 東大ら，高周波/パワーデバイスの2次元電子ガス観察

    東京大学とソニーグループは，半導体界面に蓄積された2次元電子ガスの直接観察に成功した（ニュースリリース）。 GaN系デバイスは高効率のLEDやLDの素材であるほか，絶縁破壊強度と飽和電子速度の高さから次世代の通信用高周波...

    2023.03.22

  • 名工大，光照射でSiC結晶表面への電流を数値化

    名古屋工業大学の研究グループは，SiC結晶の表面への電流の流れを，様々な温度や表面の状態において，数値化することに成功した（ニュースリリース）。 電車や自動車の速度の制御や，送配電系統の電圧の変換には半導体素子であるパワ...

    2020.05.20

  • NIMS，GaN内部のMg分布や電気的状態を可視化

    物質・材料研究機構（NIMS）は，窒化ガリウム（GaN）に注入した微量なマグネシウム（Mg）の分布や電気的状態を，ナノスケールで可視化することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 省エネ化の切り札となる「GaNパ...

    2019.05.23

  • 佐賀大ら，高品質β型酸化ガリウム膜形成技術を開発

    佐賀大学は，ノベルクリスタルテクノロジー，タムラ製作所と共同で，β型酸化ガリウムエピタキシャル膜の高品質化技術を開発した（ニュースリリース）。 酸化ガリウムは，現在パワーデバイス用材料として開発が進められている炭化ケイ素...

    2019.04.23
  • 京大ら，酸化ガリウムでノーマリーオフ型MOSFETを開発

    京大ら，酸化ガリウムでノーマリーオフ型MOSFETを開発

    京都大学と京都大発ベンチャーのFLOSFIAは共同で，新規材料によるパワーデバイスとして，コランダム構造の酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた絶縁効果型トランジスタ（MOSFET）を開発し，ノーマリーオフ動作を実証すること...

    2018.08.20

  • 金沢大ら，反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功

    金沢大学は産業技術総合研究所，デンソーとの共同研究により，世界で初めてダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製し，その動作実証に成功した（ニュースリリース）。 ダイヤモンドは，パワーデバイス材料の中で最...

    2016.08.27

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