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トランジスター

トランジスターの記事一覧

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  • 山梨大ら，高増幅・低オン抵抗トランジスタを開発

    山梨大学と新日本無線は，コレクタ領域をスーパージャンクション（SJ）構造とするシリコンバイポーラトランジスタ（SJ-BJT）の開発に成功した（ニューリリース）。 パワー半導体デバイスを用いた電流開閉装置（ソリッドステート...

    2020.08.31

  • NEDOら，単結晶ダイヤ基板のGaN-HEMTを開発

    新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO），三菱電機，産業技術総合研究所は，高い熱伝導率を持つ単結晶ダイヤモンドを放熱基板に用いたマルチセル構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）を世界で初めて...

    2019.09.03

  • 東大，IGZOを用いた強誘電体メモリーを開発

    東京大学は，8nmの金属酸化物半導体IGZOをチャネルとしたトランジスター型強誘電体メモリー（FeFET）の開発に成功した（ニュースリリース）。 強誘電体二酸化ハフニウム（HfO2）をゲート絶縁膜としたFeFETは，低消...

    2019.06.12

  • 東大，超低消費電力トランジスターを開発

    東京大学は，極めて小さな電圧制御で動作が可能な量子トンネル電界効果トランジスターを開発した（ニュースリリース）。 IoTやモバイル端末のさらなる低消費電力化と電池寿命の延長のため，これまでのMOS型トランジスターに代わる...

    2017.12.04

  • 産総研，新原理の超低消費電力LSIを開発

    新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）プロジェクト「エネルギー・環境新技術先導プログラム／ULPセンサモジュールの研究開発」における成果をもとに，産業技術総合研究所（産総研）は0.2～0.3Vの超低消費電力で駆動...

    2016.12.05

  • 千葉大ら，原子層物質のバンドギャップをコントロール

    千葉大学，米SUNYバッファロー大学，米Rice大学は共同で，原子層物質の一種である二硫化モリブデン（MoS2）に，走査電子顕微鏡で電子線を照射するだけで，半導体として重要なバンドギャップが大きくなる現象を世界で初めて発...

    2016.10.18

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