シリコン

シリコンの記事一覧

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  • 阪大ら,Ag-Si合金にパワー半導体接合材の適性発見

    大阪大学とダイセルは,液体急冷法により作製した銀(Ag)とシリコン(Si)の共晶合金(Ag-Si合金)には,非晶質SiとAg過飽和固溶体の準安定相が存在していることを発見した(ニュースリリース)。 パワー半導体の接合材料...

    2024.09.11
  • 東北大, ダイヤモンド量子センサーで応力センシング

    東北大学の研究グループは,ナノメートルサイズのダイヤモンド(ナノダイヤモンド)結晶をシリコン振動子上に固定し,ODMR法により振動子上の応力をモニタする技術を開発した(ニュースリリース)。 近年,単結晶ダイヤモンドの加工...

    2024.08.23
  • 理研ら,PV用シリコン薄膜堆積条件の最適化法を開発

    理化学研究所(理研)と北陸先端科学技術大学院大学は,結晶シリコン太陽電池に用いられる薄膜のシリコン堆積条件を最適化する新たな手法を開発した(ニュースリリース)。 研究グループではこれまで,触媒化学気相堆積(Cat-CVD...

    2024.02.20
  • 東大,シリコンの非晶質・非晶質転移の機構を解明

    東京大学の研究グループは,急激な圧力変化によるシリコンの非晶質・非晶質転移に伴う構造の時間変化を分子動力学シミュレーションによって詳細に調査した(ニュースリリース)。 炭素のグラファイトとダイヤモンドのように,単一組成の...

    2024.01.17
  • 電通大,Si上に高密度・高均一量子ナノワイヤー作製

    電気通信大学の研究グループは,従来よりも10倍以上の高い密度で,かつ細線直径の標準偏差が10%以下の高均一なInAs(インジウムヒ素)量子ナノワイヤー(量子細線)を Si(シリコン)基板上に作製する技術を開発した(ニュー...

    2023.11.10
  • 静岡大ら,トランジスタ上で電子正孔共存系を形成

    静岡大学と島根大学は,シリコン・トランジスタの電気的制御により同トランジスタ上で電子と正孔を同時に存在させることに成功した(ニュースリリース)。 半導体上で電子と正孔が同時に存在する多体系(電子正孔共存系)では,その密度...

    2023.11.09
  • 阪大,SiCの絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減

    大阪大学の研究グループは,炭化珪素(SiC)パワーデバイスの心臓部となる絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減する事に成功した(ニュースリリース)。 パワーデバイスは,電力の変換と制御を司り,従来はシリコン半導体を用いて製造されて...

    2023.08.03
  • 京産大,シリコン結晶中の原子空孔に新たな知見

    京都産業大学の研究グループは,並列計算機を用いた第一原理計算によって,シリコン結晶中の10原子空孔に関する新しい理論的な知見を得たと発表した(ニュースリリース)。 結晶を作成したときに,本来は原子(1つあるいは複数個)が...

    2022.06.06
  • 東北大ら,単原子デバイスの構築に新たな知見

    スウェーデン ルンド大学,東北大学,英リンカーン大学は,産業的に関心の高いSi(111)面7×7構造のコーナーホール内に単一のAg原子が長時間にわたって閉じ込められたままであることを明らかにした。さらに,表面を約150°...

    2022.06.02
  • 横国大ら,廃太陽パネルでCO2から有用物質創生

    横浜国立大学,産業技術総合研究所,東京工業大学は,二酸化炭素(CO2)のギ酸・メタノール等への触媒的合成に成功し,この反応の還元剤に,太陽光パネルの製造工程で排出されるシリコンが利用可能であることを見出した(ニュースリリ...

    2022.05.30

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