ゲート変調イメージング

ゲート変調イメージングの記事一覧

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  • 産総研ら,半導体中の電荷分布を可視化

    産業技術総合研究所(産総研)と筑波大学は,産総研が独自に開発した薄膜トランジスタ(TFT)の電荷を可視化するゲート変調イメージング技術を大幅に向上(空間解像度:810nm→430nm,時間分解能:3µs→50ns)させ,...

    2018.07.02

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