KEK物構研 特別助教の和田健氏が，日本陽電子科学会奨励賞を受賞した。  この賞は，陽電子科学の分野で顕著な業績を上げ，将来の活躍が期待される研究者に対して2年に一度，授与されるもの。

受賞対象となった研究は，「KEK低速陽電子実験施設における低速陽電子ビーム強度の向上」。低速陽電子実験施設は，KEKの電子陽電子入射器から得られる高エネルギーな陽電子を物質科学に利用できる 低エネルギーの陽電子（低速陽電子）に変換，取り出して利用している。

和田氏は，この陽電子生成・低エネルギー変換ユニットの改造を行ない，低速陽電子ビームの強度を従来より一桁向上させた。 そして，高強度な低速陽電子ビームを利用実験するためのビームラインの構築・整備を行ない，ポジトロニウム負イオン（陽電子1個と電子2個）に関する研究や全反射高速陽電子回折（TRHEPD）実験の 新たな展開を可能にした。

TRHEPD法を利用した研究は，物質最表面構造解析の画期的手法であり，陽電子の利用分野の拡大への寄与と，陽電子科学の発展性が高く評価された。 また，気体中やナノ空孔中のポジトロニウム（電子と陽電子がペアになったもの）の消滅に関する研究についても評価された。

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