名大、サファイア内部に 13 nm周期の導電性配線の創製に成功

名古屋大学大学院工学研究科マテリアル理工学専攻准教授の中村篤智氏・教授の松永克志氏らが東京大学大学院工学系研究科教授の幾原雄一氏、同大学生産技術研究所の准教授の溝口照康氏らとの共同研究で,宝石として知られるサファイアの内部に 13㎚周期に高密度導電性配線を創製することに成功した。

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結晶内部の原子配列のずれ(転位と呼ばれる)という、物理的に考えられる究極的に小さい空間空隙が、わずかに方位の異なる2つの結晶の境界に非常に規則正しく形成されることを利用して、絶縁体である宝石のサファイアの内部に周期的な導電性細線を数千万本創製することに成功した。細線を利用するにはその配置を制御することが不可欠であるが、これまで密度や配置を正確に制御することができていなかった。

今回作製したのは、13nm 周期の Ti 線と 90nm 周期の Ti 線で、線径は直径 3~4nm である。配線や記録媒体のさらなる高密度化、超高温下や宇宙など,過酷な環境下で可動できる電子機器の実現、宝石としての安定性を利用して,長期にわたって記憶可能な記録媒体創製などに応用が考えられる。

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